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Il prossimo 30 giugno 2017 alle ore 11.30, presso l'Aula C del Dipartimento di Chimica, il Dr. Hisao Nakamura (Research Center for Computational Advanced Functional Materials (CD-FMat), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba, JAPAN) terrà un seminaro dal titolo:“The resistive switching mechanism of interfacial phase change memory and its topological phase by first-principles modelling”.

Tutti gli interessati sono invitati a partecipare.

nakamura 2017

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